PECVD石墨烯薄膜制备炉、离子增强化学气相沉积系统

PECVD化学气相沉积系统
产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要功能和特点：
1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；
2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；
3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；
4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
参数简介：



反应室	炉管尺寸	φ60/100/150mm
	加热元件	HRE合金丝
	测温元件	N型热电偶
	加热长度	440/600/900mm
	工作温度	≤1100℃
	控温模式	模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有**温和断偶报警功能
	控温精度	±1℃
	升温速率	≤20℃/min
	电功率	AC220V/50HZ
供气系统	标准量程	50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；
	压力表测量范围	-0.1Mpa～0.15Mpa
	极限压力	3MPa
	针阀	316不锈钢
	截止阀	Φ6mm 316不锈钢针阀
	电功率	AC220V/50HZ/20W
	响应时间	气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec
	准确度	±1.5%
	线性	±0.5～1.5%
	重复精度	±0.2%
	接口	Φ6,1/4''
真空系统	工作电电压	220V±10%  50~60HZ
	功率	400W
	抽气速率	4L\s
	极限真空	4X10-2Pa
	实验真空度	1.0X10-1Pa
	容油量	1.1L
	进气口口径	KF25
	排气口口径	KF25
	转速	1450rpm
射频电源	信号频率	13.56 MHz±0.005%
	功率输出范围	3W-300W   5W-500W可选
	较大反射功率	200W
	射频输出接口	50 Ω, N-type, female
	功率稳定度	±0.1%
	谐波分量	≤-50dbc
	供电电压	单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ
	整机效率	>=70%
	功率因素	>=90%
	冷却方式	强制风冷
供货单位	科晶真空科技（苏州）有限公司
联系人	翟瑞涛